大面积钙钛矿电池组件的效率一直比小面积电池的最高效率低10%左右。其中，透明导电氧化物（TCO）电极的横向电阻是串联电阻增加的主要因素。本文采用湿法刻蚀的方法在超白玻璃制备了一个深度为1~2m、最小横向宽度为10m的沟槽。然后，使用蒸镀金属铝和射频溅射沉积氧化铟锡（ITO）薄膜，通过调整蚀刻参数获得良好的铝网格形状。对有无铝栅的ITO薄膜的对比分析表明，有铝栅的ITO薄膜的平均透射率比无铝栅的ITO薄膜低约3.5%，横向电阻从17.4显著提高到2.4。通过调整刻蚀厚度，可以进一步降低横向电阻，从而显著提高ITO薄膜作为太阳能电池领域透明导电电极的横向电子收集能力，为玻璃基薄膜电池的大规模工业化应用提供了可能。