在这项工作中，N-doped graphite　oxide（GO-p）是通过冷等离子体处理go，使用NH3和Ar的混合物作为工作气体制备的。当NH3:Ar-were 1:2、1:3、and1:4时，go-p（NH3：Ar=1:2）、Aristole-p（NH3：Ar=1:3）、andAristole-p（NH3：Ar=1:4）的比容量分别是go在当前密度为1A·g-1时的4.7、187.7、and134.6、g－1、which　were4.7、and5.1倍。go-p（NH3：Ar=1:3）was80%的whenitwas　cycled1000timesThe　characterization　results　showed　that　the　NH3cold　plasma　could　effectively　produce　N－doped　GO　and　generate　more　active　defects的能力保持率为the　highest。这些都是为了提供假电容和降低电的内阻。在In　addition，go-p的ID/Igo（1.088）也最高，　指示　这个　最高　数字　属于　缺陷。　这个　后果　属于　排出　参数　测量　和　在里面　原地　视力的　排放　光谱学　诊断　属于　NH3 Leban表明，当NH3的比例为时，放电最强，由此产生的氮活性物种可以有效促进N掺杂。N掺杂和环境缺陷是go-p（NH3：Ar=1:3）优异电性能的关键，是制备N掺杂go和调节N掺杂制备高性能超级电容器的简单快速方法