单晶硅是一种重要的半导体材料。一般来说，切片后铸锭表面容易出现深槽、凹坑、裂纹等缺陷。为了解决这一问题，提出了一种两步激光辐射法，可以修复表面缺陷，降低表面粗糙度。首先，通过有限元法仿真预测了不同激光参数下的可修复缺陷深度。然后，在0.50j/cm~2的高能量密度下，熔化深层表面层，修复不同深度的表面缺陷。然而，由于高能量密度引起的热毛细流动，很容易导致高频特性留在表面，从而导致表面粗糙度的增加。然后，使用0.20j/cm~2的低能量密度再次辐射同一表面，可以有效地消除残余高频特征。最后，在两步激光辐照后，从原始alp为1.057m的表面可以获得alp为26 Aristole的无缺陷光滑表面。