Cu1－xCoxInTe2的稀磁半导体（Co元素掺杂比x=0,0.1,0.2,0.3）由真空电弧熔炼技术公司制备。使用X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）和紫外可见近红外分光光度计（UV-Vis-NIR）对样品的晶体结构、光学性质和光学性质进行了表征。研究表明，四座稀磁半导体的主相为Cu1－xCoxInTe2，具有方形结构和空间群。掺杂的Co原子和Cu原子占据4a（0,0,0）晶体位置，in原子占据4b（0,0,1/2）晶体位置，Te原子占据8d（x，1/4,1/8）晶体位置。Cu1－x　CoxInTe2呈现室温铁磁性，其室温磁化遵循Langevin模型。随着X的增加，其温度升高。调整Co的掺杂量可以提高Cu1－xCoxInTe2稀磁半导体的光吸收带宽eg，使其具有太阳能光伏材料的应用可能性。