目前，n型GaAs欧姆接触电极的制备方法主要是蒸发法。但该方法存在设备价格高、电极材料浪费等缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs欧姆接触电极AuGeNi/Au。通过优化制备工艺，可获得表面光滑、成分均匀、无偏析的电极层。在400氩气气氛下退火后，电极与GaAs之间的肖特基接触转变为欧姆接触，电极间电阻降低到原来的1/20。当退火温度为400~500时，可获得很小的接触电阻率（10-6·cm~2），有利于提高工作稳定性和降低能耗。当退火温度低于400或高于500时，比接触电阻率较高，这分别与不形成欧姆接触和Au-Ge合金的“球化”有关。本发明的制备方法和工艺具有设备成本低、工艺简单、节省电极材料、经济效益好、实用价值高等优点，适用于科研实验室。