为了提高28　纳米体硅工艺中触发器的抗SEU能力，研究了28　纳米集成电路的版图空间版图增强技术。基于敏感节点对分离和电荷补偿原理，设计了两种抗辐射增强触发器的版图结构。同时，设计了三种不同敏感节点对分离距离的触发链，并利用电荷补偿原理进行了加强。该芯片通过流媒体和封装进行单事件翻转测试。试验结果表明，两种布局加固方法可将单事件周转次数减少95%以上。当入射重离子的let值为37　 MeV·cm~2·mg-1时，基于电荷补偿原理的布图加固最佳敏感节点对的距离是标准单位距离的3倍。