POLO结构是一种被动接触结构，通过在晶体硅表面连续生长非常薄的界面氧化物层和多晶硅层而形成。基于POLO结构的钝化接触技术不仅可以获得优异的表面钝化特性，而且避免了金属与晶体硅表面的直接接触，大大减少了金属与晶体硅表面的接触复合。目前，由POLO被动接触结构制成的小面积水晶硅太阳能电池转换效率高达26.1%，大面积晶硅太阳能电池的产业化效率已超过24.5%。同时，POLO的无源接触技术采用于晶硅电池的制造，可耐受高温过程，与晶硅现有的电池产业化设备兼容。这是一种具有巨大产业化潜力的无源接触技术方案。本文主要总结了POLO无源接触结构中的载流子传输机制和相应的定量参数表征方法。比较了POLO结构制备中的界面氧化层生长、多晶硅层沉积、掺杂和氢化方法。总结了多晶硅层的寄生吸收效应、晶体硅的表面形貌和结构，以及掺杂浓度分布对POLO结构钝化接触特性的影响。简要介绍了POLO钝化接触技术的研究进展和POLO电池制造面临的技术难点。